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SPI08N80C3

SPI08N80C3

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPI08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 800 V 8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3


安富利:
800V CoolMOS™ C3 is Infineon"s third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-262


儒卓力:
**N-CH 800V 8A 650mOhm TO262-3 **


力源芯城:
800V,650mΩ,8A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 8A TO-262


SPI08N80C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 8.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.56 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

输入电容 1.10 nF

栅电荷 52.0 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

额定功率Max 104 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPI08N80C3引脚图与封装图
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