SSM6N44FE,LM
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
耗散功率 0.15 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 8.5pF @3VVds
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
封装 SOT-563
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SSM6N44FE,LM引脚图
SSM6N44FE,LM封装图
SSM6N44FE,LM封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SSM6N44FE,LM | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.5A/0.33A 6Pin ES T/R | 搜索库存 |