STH15810-2
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
STH15810-2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 8115pF @50VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 H2PAK
外形尺寸
封装 H2PAK
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
STH15810-2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STH15810-2 | ST Microelectronics 意法半导体 | 单 N-沟道 100 V 0.0039 Ohm 117 nC 250 W 硅 表面贴装 Mosfet - TO-263-3 | 搜索库存 |