
针脚数 7
极性 Dual N-Channel
热阻 0.038K/W RθJC
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Screw
引脚数 7
封装 Semitrans3
长度 106.4 mm
封装 Semitrans3
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
制造应用 Power Management, Maintenance & Repair, 电源管理, 维护与修理
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SKM200GB12T4 | Semikron 赛米控 | SEMIKRON SKM200GB12T4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SKM200GB12T4 品牌: Semikron 赛米控 封装: Module | 当前型号 | SEMIKRON SKM200GB12T4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module | 当前型号 | |
型号: SKM200GB12V 品牌: 赛米控 封装: Module | 完全替代 | SEMIKRON SKM200GB12V 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module | SKM200GB12T4和SKM200GB12V的区别 | |
型号: FF200R12KT4HOSA1 品牌: 英飞凌 封装: Module 1100000mW | 功能相似 | INFINEON FF200R12KT4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module | SKM200GB12T4和FF200R12KT4HOSA1的区别 | |
型号: FF200R12KE3HOSA1 品牌: 英飞凌 封装: 1050000mW | 功能相似 | Infineon FF200R12KE3HOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装 | SKM200GB12T4和FF200R12KE3HOSA1的区别 |