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SKM200GB12T4

SKM200GB12T4

数据手册.pdf
Semikron 赛米控 分立器件

SEMIKRON  SKM200GB12T4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

The is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology Direct Bonded Copper and increased power cycling capability.

.
Half-bridge switch
.
IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT Infineon
.
CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
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Integrated gate resistor
.
For higher switching frequencies up to 12kHz
.
UL recognized, file number E63532
SKM200GB12T4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

极性 Dual N-Channel

热阻 0.038K/W RθJC

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 Semitrans3

外形尺寸

长度 106.4 mm

封装 Semitrans3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Power Management, Maintenance & Repair, 电源管理, 维护与修理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SKM200GB12T4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SKM200GB12T4 Semikron 赛米控 SEMIKRON  SKM200GB12T4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module 搜索库存
替代型号SKM200GB12T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SKM200GB12T4

品牌: Semikron 赛米控

封装: Module

当前型号

SEMIKRON  SKM200GB12T4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

当前型号

型号: SKM200GB12V

品牌: 赛米控

封装: Module

完全替代

SEMIKRON  SKM200GB12V  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

SKM200GB12T4和SKM200GB12V的区别

型号: FF200R12KT4HOSA1

品牌: 英飞凌

封装: Module 1100000mW

功能相似

INFINEON  FF200R12KT4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module

SKM200GB12T4和FF200R12KT4HOSA1的区别

型号: FF200R12KE3HOSA1

品牌: 英飞凌

封装: 1050000mW

功能相似

Infineon FF200R12KE3HOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装

SKM200GB12T4和FF200R12KE3HOSA1的区别