SQD50N04-4M5L-GE3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SQD50N04-4M5L-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.003 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 4880pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQD50N04-4M5L-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQD50N04-4M5L-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD50N04-4M5L-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |