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SPD03N60C3

SPD03N60C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPD03N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252


立创商城:
N沟道 650V 3.2A


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin2+Tab TO-252


儒卓力:
**N-CH 600V 3,2A 1400mOhm TO252 **


力源芯城:
600V,3.2A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK


SPD03N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 3.20 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 3.2A

上升时间 3 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 400pF @25VVds

额定功率Max 38 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.223 mm

高度 2.413 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPD03N60C3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPD03N60C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPD03N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPD03N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPD03N60C3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO252-3 N-Channel 600V 3.2A

当前型号

INFINEON  SPD03N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

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