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SST39SF020A-70-4I-NHE

SST39SF020A-70-4I-NHE

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip

SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器

的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。

### 特点

4.5-5.5V 读写操作

寿命 - 100,000 次循环（典型）

低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值）

扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区

读取访问时间 - 55 至 70 ns

扇区擦除时间 18 ms

芯片擦除时间：70 ms（典型）

字节编程时间 - 14 μs（典型）

芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值）

锁存地址和数据

自动写入计时 - 内部 VPP 生成

写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询

TTL 输入/输出兼容性

JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件

SST39SF020A-70-4I-NHE中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

工作电压 4.5V ~ 5.5V

供电电流 25 mA

针脚数 32

位数 8

存取时间 70 ns

内存容量 250000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 PLCC-32

外形尺寸

长度 14.05 mm

宽度 11.51 mm

高度 2.84 mm

封装 PLCC-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, 消费电子产品, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 3A991.b.1.a

SST39SF020A-70-4I-NHE引脚图与封装图
SST39SF020A-70-4I-NHE引脚图

SST39SF020A-70-4I-NHE引脚图

SST39SF020A-70-4I-NHE封装图

SST39SF020A-70-4I-NHE封装图

SST39SF020A-70-4I-NHE封装焊盘图

SST39SF020A-70-4I-NHE封装焊盘图

在线购买SST39SF020A-70-4I-NHE
型号 制造商 描述 购买
SST39SF020A-70-4I-NHE Microchip 微芯 SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。 ### 特点 4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip 搜索库存
替代型号SST39SF020A-70-4I-NHE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SST39SF020A-70-4I-NHE

品牌： Microchip 微芯

封装： LCC 250000B 4.5V 32Pin

当前型号

SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip

当前型号

型号： SST39SF020A-70-4I-NHE-T

品牌： 微芯

封装： PLCC-32

完全替代

Flash Parallel 5V 2Mbit 256K x 8Bit 70ns 32Pin PLCC T/R

SST39SF020A-70-4I-NHE和SST39SF020A-70-4I-NHE-T的区别

型号： SST39SF020A-70-4C-NHE

品牌： 微芯

封装： 32-LCC 250000B 4.5V 32Pin

类似代替

SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip

SST39SF020A-70-4I-NHE和SST39SF020A-70-4C-NHE的区别