STG4259BJR

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

低压0.3ヘ与突破前先功能和15KV ESD保护最大双SPDT开关 Low voltage 0.3ヘ max dual SPDT switch with break-before-make feature and 15KV ESD protection

电路 IC 开关 2：1 300 毫欧 11-覆晶

得捷:
IC SWITCH DUAL SPDT 11FLIPCHIP

Win Source:
IC SWITCH DUAL SPDT 11FLIPCHIP / 2 Circuit IC Switch 2:1 300mOhm 11-FlipChip

STG4259BJR中文资料参数规格

技术参数

电路数 2

3dB带宽 40 MHz

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 WFBGA-11

外形尺寸

封装 WFBGA-11

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STG4259BJR引脚图与封装图

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