SPA16N50C3
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPA16N50C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 560 V
额定电流 16.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 34 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
SPA16N50C3引脚图与封装图
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在线购买SPA16N50C3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPA16N50C3 | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPA16N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SPA16N50C3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPA16N50C3 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO220-3 N-Channel 560V 16A | 当前型号 | INFINEON SPA16N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： SPA04N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 4A | 类似代替 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | SPA16N50C3和SPA04N80C3的区别 |
| 型号： SPA06N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 6A | 类似代替 | INFINEON SPA06N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V | SPA16N50C3和SPA06N80C3的区别 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | SPA16N50C3和STW20NK50Z的区别 |