锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
SPB07N60C3

SPB07N60C3

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
SPB07N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE


立创商城:
N沟道 600V 7.3A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab TO-263


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 83W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
600V,7.3A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK


SPB07N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

额定功率 83 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.572 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPB07N60C3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPB07N60C3
型号 制造商 描述 购买
SPB07N60C3 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号SPB07N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPB07N60C3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252-3 N-Channel 650V 7.3A

当前型号

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号： STD8NM60N-1

品牌： 意法半导体

封装： IPak N-Channel 3.5A

功能相似

N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

SPB07N60C3和STD8NM60N-1的区别

型号： R6007KNJTL

品牌： 罗姆半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 7A

功能相似

ROHM  R6007KNJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 5 V 新

SPB07N60C3和R6007KNJTL的区别

型号： SIHP7N60E-GE3

品牌： Vishay Siliconix

封装： TO-220AB N-Channel

功能相似

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

SPB07N60C3和SIHP7N60E-GE3的区别