针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 2.5 ns
输入电容Ciss 490pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPS04N60C3 | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPS04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPS04N60C3 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-251 N-Channel 650V 4.5A | 当前型号 | INFINEON SPS04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 | |
型号: SPS04N60C3BKMA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-251 N-CH 650V 4.5A | 类似代替 | TO-251 N-CH 650V 4.5A | SPS04N60C3和SPS04N60C3BKMA1的区别 |