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SPS04N60C3

SPS04N60C3

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
SPS04N60C3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 490pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPS04N60C3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPS04N60C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPS04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPS04N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPS04N60C3

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-251 N-Channel 650V 4.5A

当前型号

INFINEON  SPS04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: SPS04N60C3BKMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-251 N-CH 650V 4.5A

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