SQD19P06-60L_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.046 Ω
耗散功率 46 W
阈值电压 2.5 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1192pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 46 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SQD19P06-60L_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SQD19P06-60L_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |