SI4618DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.98 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4618DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4618DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4618DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |