SI7922DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, Dual N-Channel
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7922DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI7922DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |