SIZ704DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 3700@Channel 1|4500@Channel 2mW
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 12 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 PowerPAIR-6x3
外形尺寸
宽度 3.7 mm
高度 0.55 mm
封装 PowerPAIR-6x3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIZ704DT-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFETs | 搜索库存 |