SIZ700DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 1300pF @10VVds
额定功率Max 2.36W, 2.8W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPair-6
外形尺寸
封装 PowerPair-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIZ700DT-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIZ700DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIZ700DT-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, 16A, POWERPAIR | 搜索库存 |