
SI4922BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
输入电容Ciss 2070pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4922BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4922BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |