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SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

数据手册.pdf
SI4922BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 2070pF @15VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4922BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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SI4922BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8Pin SOIC N T/R 搜索库存