SI7872DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI7872DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7872DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7872DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8Pin PowerPAK SO T/R | 搜索库存 |