SI4830CDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 12 ns
下降时间 10 ns
封装参数
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4830CDY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4830CDY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4830CDY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode | 搜索库存 |