SI4210DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0355 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 1.78 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.50 A
上升时间 55 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4210DY-T1-GE3引脚图与封装图
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