SQ4920EY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 4.4 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, 车用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQ4920EY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ4920EY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQ4920EY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |