SI4914BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0165 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7.40 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4914BDY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4914BDY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4914BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode | 搜索库存 |