SI5902BDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual N-Channel
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
封装参数
引脚数 8
封装 ChipFET-8
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.1 mm
封装 ChipFET-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5902BDC-T1-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N沟道30 V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30 V D-S MOSFET | 搜索库存 |