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SI1902CDL-T1-GE3

SI1902CDL-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI1902CDL-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.1 A, 20 V, 0.195 ohm, 4.5 V, 1.5 V

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

**

* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

**

* Switch Mode Power Supplies**

**

* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R


Allied Electronics:
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R


富昌:
双 N 沟道 20 V 0.235 Ohm 0.42 W 表面贴装 Mosfet - SC-70-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R


SI1902CDL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.195 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 420 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 62pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

宽度 2.05 mm

高度 1 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1902CDL-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI1902CDL-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.1 A, 20 V, 0.195 ohm, 4.5 V, 1.5 V 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI1902CDL-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-363 Dual N-Channel

当前型号

VISHAY  SI1902CDL-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.1 A, 20 V, 0.195 ohm, 4.5 V, 1.5 V

当前型号

型号: SI1958DH-T1-E3

品牌: 威世

封装: SOT-363 N-Channel 20V 1.3A

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VISHAY  SI1958DH-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 1.6 V

SI1902CDL-T1-GE3和SI1958DH-T1-E3的区别