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SI5997DU-T1-GE3

SI5997DU-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI5997DU-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1.2 V

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


Allied Electronics:
SI5997DU-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.1A, 30V, 8-Pin PowerPAK ChipFET


富昌:
Dual P-Channel 30 V 54 mΩ 9.5 nC TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK


Newark:
# VISHAY  SI5997DU-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -6 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1.2 V


SI5997DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 10.4 W

输入电容Ciss 430pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK

外形尺寸

长度 3.08 mm

宽度 1.98 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI5997DU-T1-GE3引脚图与封装图
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SI5997DU-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI5997DU-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1.2 V 搜索库存