SP8M3FU6TB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SP8M3FU6TB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, 工业, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
SP8M3FU6TB引脚图与封装图
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在线购买SP8M3FU6TB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SP8M3FU6TB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM SP8M3FU6TB 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号SP8M3FU6TB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SP8M3FU6TB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOP N-Channel 30V 4.5A | 当前型号 | ROHM SP8M3FU6TB 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： SP8M3TB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOIC 30V 4.5A | 完全替代 | Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8Pin SOP T/R | SP8M3FU6TB和SP8M3TB的区别 |
| 型号： SP8M3 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N+P 30V 5A 4.5A | 功能相似 | 开关 Switching | SP8M3FU6TB和SP8M3的区别 |