SSM6P36FE,LM

Toshiba(东芝) 主动器件

Mosfet 2p-Ch 20V 0.33A Es6

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 330mA 150mW Surface Mount ES6 1.6x1.6

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 6-Pin ES T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 6-Pin ES T/R

Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

SSM6P36FE,LM中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.15 W

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 43pF @10VVds

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SSM6P36FE,LM引脚图与封装图

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