SI7942DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.90 A
上升时间 15 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 SOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7942DP-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7942DP-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7942DP-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 5.9A, 100V, 0.041Ω, 20V, 4V | 搜索库存 |