SIZ790DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 27 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 PowerPAIR-6x3
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 3.7 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerPAIR-6x3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIZ790DT-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIZ790DT-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIZ790DT-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 16A, POWERPAIR-6 | 搜索库存 |