SI4914BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1700@Channel 1|2000@Channel 2mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4914BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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