SH8K1TB1
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SH8K1TB1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SH8K1TB1引脚图与封装图 
SH8K1TB1引脚图
SH8K1TB1封装图
SH8K1TB1封装焊盘图