SIZ300DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 16.7 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 3X3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.75 mm
封装 3X3
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIZ300DT-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIZ300DT-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 11A, POWERPAIR-8 | 搜索库存 |