SH8K41GZETB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
针脚数 8
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 3.4A
输入电容Ciss 600pF @10VVds
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SH8K41GZETB引脚图
SH8K41GZETB封装图
SH8K41GZETB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SH8K41GZETB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |