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SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3

数据手册.pdf

N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a N/P-channel complementary MOSFET designed for use with load switch, small signal switches and level-shift switches, battery operated systems and Portable applications. It offers high-side switching, ease in driving switches and low offset error voltage.

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TrenchFET® power MOSFET
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Low-voltage operation
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High-speed circuits
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100% Rg tested
SI1016CX-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.33 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 220 mW

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.22 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Portable Devices, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1016CX-T1-GE3引脚图与封装图
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