SI7905DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids -6.00 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7905DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7905DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7905DN-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6 A, -40 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -3 V | 搜索库存 |