SIA913ADJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1900 mW
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 590pF @6VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIA913ADJ-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 6Pin PowerPAK SC-70 T/R | 搜索库存 |