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SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

**

* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
双 N沟道 40 V 0.019 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7288DP-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 A, 40 V, 0.0156 ohm, 10 V, 1.2 V


SI7288DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0156 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 15.6 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 565pF @20VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

外形尺寸

长度 5.99 mm

宽度 5 mm

高度 1.07 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

SI7288DP-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI7288DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号SI7288DP-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI7288DP-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: Dual N-Channel

当前型号

N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: SI7958DP-T1-E3

品牌: 威世

封装: N-Channel 40V 11.3A

类似代替

Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8Pin PowerPAK SO T/R

SI7288DP-T1-GE3和SI7958DP-T1-E3的区别

型号: SI7958DP-T1-GE3

品牌: 威世

封装: N-Channel 40V 11.3A

类似代替

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