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SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3

数据手册.pdf

N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
双通道 N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7922DN-T1-E3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 100 V, 0.162 ohm, 10 V, 2.5 V


SI7922DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.162 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

热阻 77℃/W RθJA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.15 mm

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7922DN-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI7922DN-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI7922DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8 搜索库存
替代型号SI7922DN-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI7922DN-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: N-Channel 100V 25A 230mΩ

当前型号

N 沟道 100 V 0.195 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8

当前型号

型号: SI7922DN

品牌: 威世

封装: Dual N-Channel

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