SI4946BEY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2.6 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 3.7 W
阈值电压 2.4 V
输入电容 840pF @30V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 65.0 A
热阻 50℃/W RθJA
输入电容Ciss 840pF @30VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI4946BEY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4946BEY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4946BEY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4946BEY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 20 V, 2.4 V | 搜索库存 |
替代型号SI4946BEY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4946BEY-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 60V 65A | 当前型号 | VISHAY SI4946BEY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 60 V, 0.033 ohm, 20 V, 2.4 V | 当前型号 |