SIZ902DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4200@Channel 1|5000@Channel 2mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
外形尺寸
高度 0.7 mm
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIZ902DT-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8Pin PowerPAIR T/R | 搜索库存 |