SI7272DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0076 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 22 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI7272DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7272DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7272DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7272DP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 25A, 30V, 0.0076Ω, 10V, 1.2V | 搜索库存 |
替代型号SI7272DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI7272DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： Dual N-Channel | 当前型号 | VISHAY SI7272DP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 25A, 30V, 0.0076Ω, 10V, 1.2V | 当前型号 |
| 型号： SI7844DP-T1-E3 品牌： 威世 封装： SO Dual N-Channel 30V 10A 30mΩ | 类似代替 | VISHAY SI7844DP-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 2.4 V | SI7272DP-T1-GE3和SI7844DP-T1-E3的区别 |