SI4228DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 25 V
上升时间 12 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4228DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4228DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N沟道25 V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 25 V D-S MOSFET | 搜索库存 |