SI7216DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 6.00 A, 5.00 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI7216DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7216DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7216DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 双N通道40 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 40-V D-S MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI7216DN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7216DN-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： Dual N-Channel 40V 6A | 当前型号 | 双N通道40 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 40-V D-S MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI7216DN-T1-E3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 40V 6A | 类似代替 | VISHAY SI7216DN-T1-E3 晶体管, 双N沟道 | SI7216DN-T1-GE3和SI7216DN-T1-E3的区别 |