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SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power and low current DC-to-DC converter applications.

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Halogen-free
.
TrenchFET® power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双 N-沟道 30 V 0.0195 Ohm 5 W 表面贴装 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A


Newark:
# VISHAY  SI4214DDY-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.5 A, 30 V, 19.5 mohm, 10 V, 2.5 V


儒卓力:
**DUAL 30V 9A 19mOhm SO-8 **


SI4214DDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0195 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.50 A

输入电容Ciss 660pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SI4214DDY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4214DDY-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI4214DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号SI4214DDY-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SI4214DDY-T1-GE3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： SOIC Dual N-Channel 30V 8.5A

当前型号

N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

当前型号

型号： SI4804CDY-T1-GE3

品牌： 威世

封装： SOIC Dual N-Channel

功能相似

VISHAY  SI4804CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 18 mohm, 10 V, 2.4 V

SI4214DDY-T1-GE3和SI4804CDY-T1-GE3的区别

型号： DMN3033LSD

品牌： 威世

封装： SOIC N-Channel 30V 6.9A

功能相似

DIODES INC.  DMN3033LSD  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1 V

SI4214DDY-T1-GE3和DMN3033LSD的区别

型号： SI4920DY-T1-GE3

品牌： 威世

封装： SOIC Dual N-Channel 30V 6.9A

功能相似

VISHAY  SI4920DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 6.9A, 整卷

SI4214DDY-T1-GE3和SI4920DY-T1-GE3的区别