
SI6926ADQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 16 ns
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP
外形尺寸
封装 TSSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI6926ADQ-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI6926ADQ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI6926ADQ-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.1 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |