SI3993DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.245 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 830 mW
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -2.20 A
上升时间 16 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3993DV-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI3993DV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |