SI5999EDU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual P-Channel
耗散功率 2300 mW
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 496pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
封装参数
引脚数 8
外形尺寸
高度 0.75 mm
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5999EDU-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI5999EDU-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 20V,-6A,双P沟道MOSFET | 搜索库存 |