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SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI3552DV-T1-E3  场效应管, MOSFET, 1.15W, 6-TSOP, SMD

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
N 和 P 沟道 30 V 0.105/0.2 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R


SI3552DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.15 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 ±30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 51.0 A

热阻 130℃/W RθJA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1 mm

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

SI3552DV-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI3552DV-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI3552DV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI3552DV-T1-E3  场效应管, MOSFET, 1.15W, 6-TSOP, SMD 搜索库存
替代型号SI3552DV-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI3552DV-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TSOP N-Channel 30V 51A 105mΩ

当前型号

VISHAY  SI3552DV-T1-E3  场效应管, MOSFET, 1.15W, 6-TSOP, SMD

当前型号

型号: SI3552DV-T1-GE3

品牌: 威世

封装: TSOP N-Channel 30V

完全替代

VISHAY  SI3552DV-T1-GE3  晶体管, 双N&P沟道

SI3552DV-T1-E3和SI3552DV-T1-GE3的区别

型号: BSL316C L6327

品牌: 英飞凌

封装: TSOP N-Channel

功能相似

INFINEON  BSL316C L6327  双路场效应管, MOSFET, 互补晶体管, N和P沟道, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V

SI3552DV-T1-E3和BSL316C L6327的区别