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SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI4501BDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 A, 30 V, 0.0135 ohm, 10 V, 800 mV

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/8V 9A/6.4A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
SI4501BDY-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 6.4 A, 12 A, 8V, 30V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A/8A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/8V 9A/6.4A 8-Pin SOIC N T/R


SI4501BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0135 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 4.5 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI4501BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI4501BDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 A, 30 V, 0.0135 ohm, 10 V, 800 mV 搜索库存