SI5515CDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 1.6 mm
封装公制 3216
封装 1206
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI5515CDC-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI5515CDC-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 400 mV | 搜索库存 |